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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
16
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
24
80
22
C
60
21
C
50
30
20
1 10 100
18
VDD= 28 Vdc
IDQ
= 1200 mA
f = 880 MHz
Gps
G
ps
, POWER GAIN (dB)
23
10
ηD
400
TC
= ?30
C
?30C
25C
85
20
19
40
85C
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 24 V
300
16
21
0 200100
17
19
18
20
IDQ
= 1200 mA
f = 880 MHz
28
V
32
V
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 35 W Avg., and
ηD
= 31%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
17
70
25
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